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onsemi MTP10N10ELG
| Artikelnummer: | MTP10N10ELG |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 100V 10A TO220AB |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
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onsemi MTP10N10ELG Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments MTP10N10ELG.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA Vgs (Max) ±15V Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse TO-220 Serie - Rds On (Max) @ Id, Vgs 220mOhm @ 5A, 5V Verlustleistung (max) 1.75W (Ta), 40W (Tc) Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Paket Tube Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Produkteigenschaften Eigenschaften Befestigungsart Through Hole Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1040 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15 nC @ 5 V Typ FET N-Channel FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 5V Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 10A (Tc) Grundproduktnummer MTP10 MTP10N10ELG Einzelheiten PDF [English] MTP10N10ELG PDF - EN.pdf -
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